倒装LED芯片的制作工艺
倒装LED圆片制程工艺
倒装芯片与正装芯片的圆片制作过程大致相同，都需要在外延层上进行刻蚀，露出下层的N型GaN；然后在P和N极上分别制作出欧姆接触电极，再在芯片表面制作钝化保护层，最后制作焊接用的金属焊盘，其制作流程如图5所示。
与正装芯片相比，倒装芯片需要制作成电极朝下的结构。这种特殊的结构，使得倒装芯片在一些工艺步骤上有特殊的需求，如欧姆接触层必须具有高反射率，使得射向芯片电极表面的光能够尽量多的反射回蓝宝石的一面，以保证良好的出光效率。
倒装芯片的版图也需要根据电流的均匀分布，做最优化的设计。由于圆片制作工艺中，GaN刻蚀（Mesa刻蚀）、N型接触层制作、钝化层制作、焊接金属PAD制作都与正装芯片基本相同，这里就不详细讲述了，下面重点针对倒装芯片特殊工艺进行简单的说明。
在LED芯片的制作过程中，欧姆接触层的工艺是芯片生产的核心，对倒装芯片来说尤为重要。欧姆接触层既有传统的肩负起电性连接的功能，也作为反光层的作用，如图9所示。
在P型欧姆接触层的制作工艺中，要选择合适的欧姆接触材料，既要保证与P型GaN接触电阻要小，又要保证超高的反射率。此外，金属层厚度和退火工艺对欧姆接触特性和反射率的影响非常大，此工艺至关重要，其关系到整个LED的光效、电压等重要技术参数，是倒装LED芯片工艺中最重要的一环。
目前这层欧姆接触层一般都是用银（Ag）或者银的合金材料来制作，在合适的工艺条件下，可以获得稳定的高性能的欧姆接触，同时能够保证欧姆接触层的反射率超过95%。
倒装LED芯片后段制程
与正装LED芯片一样，圆片工艺制程后，还包括芯片后段的工艺制程，其工艺流程如图7所示，主要包括研磨、抛光、切割、劈裂、测试和分类等工序。这里工序中，唯一有不同的是测试工序，其它工序基本与正装芯片完全相同，这里不再赘述。
倒装芯片由于出光面与电极面在不同方向，因此在切割后的芯片点测时，探针在LED正面电极上扎针测量时，LED的光是从背面发出。要测试LED的光特性（波长、亮度、半波宽等），必须从探针台的下面收光。
因此倒装芯片的点测机台与正装点测机台不同，测光装置（探头或积分球）必须放在探针和芯片的下面，而且芯片的载台必须是透光的，才能对光特性进行测试。
所以，倒装芯片的点测机台需要特殊制造或改造。
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